mos管的分类和工作原理
可控硅与mos区别？
可控硅与mos区别？
区别很大。最大的区别关断的方式不同，MOS管撤掉栅源电压就要关断，而可控硅需要负载电流为0,然后自动判断，所以可控硅大部分应用在脉动的直流或交流电中。
MOS是高阻抗的控制元件，G 可以控制DS的电流大小
可控硅是开关元件，分为单向可控硅和双向可控硅两种。他不能够控制电流的大小，只能够控制开关。
mos管与场效应管是一个概念。mos管是全控型的，是电压驱动的；晶闸管是半控型的，由电流驱动的。可以控制其开通与关断的晶体管都可称为可控硅。mos管要维持导通必须要栅极和源极之间保持一电压差，一般10v左右。
MOS是高阻抗的控制元件，G 可以控制DS的电流大小
可控硅是开关元件，分为单向可控硅和双向可控硅两种。他不能够控制电流的大小，只能够控制开关。
什么是IGBT，分类，作用，原理是什么？
IGBT中文名字叫绝缘栅双节型晶体管。它是mos管和晶体管的复合。电压控制型器件。前面是用的mos管的绝缘栅，后面是用的晶体管，等效电路就是这么画的。它具有mos管开关频率高的特点（比mos管低点），还有晶体管耐压高等特点。是全控型器件。用栅极电压来控制IGBT的开通，关断。差不多就这些了。
mos管的动态特性？
MOS管工作特性和动态特性
MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。
MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程，但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间，而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的
mos 管原理通俗理解？
mos管的工作取决于MOS电容,它是源极和漏极之间的氧化层下方的半导体表面。只需分别施加正栅极电压或负栅极电压,即可将其从 p 型反转为 n 型。
mos管的主要原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。它的工作原理几乎就像一个开关,设备的功能基于 MOS 电容。MOS电容是MOS管的的主要部分。 当漏源电压(VDS)连接在漏极和源极之间时,正电压施加到漏极,负电压施加到源极。在这里,漏极的 PN 结是反向偏置的,而源极的 PN 结是正向偏置的。